Please use this persistent identifier to cite or link to this item: doi:10.24405/554
Title: Dynamisches Verhalten ferroelektrischer Kondensatoren
Subtitle: Modellierung und Charakterisierung
Authors: Supriyanto, Eko 
Language: de
Subject (DDC): Ingenieurwissenschaften
Subject: Schaltzeit
Ferroelektrikum
Hysterese
Issue Date: 2004
Publisher: Universitätsbibliothek der HSU/UniBwH
Document Type: Thesis
Publisher Place: Hamburg
Abstract: 
Ferroelektrische Dünnschichten bieten durch ihre vielfältigen elektrischen Eigenschaften ein großes Potential für die Anwendung in zukünftigen nicht-flüchtigen Speichern (FeRAM: Ferroelectric Random Access Memory). Die ferroelektrische Speicherzelle FeRAM hat in etwa den selben Flächenbedarf wie eine DRAM (Dynamic Random Access Memory) –Zelle. Gleichzeitig jedoch kann die eingeschriebene Information bis zu zehn Jahre ohne Refresh gespeichert werden. FeRAM zeichnen sich im Vergleich zu Floating-Gate-Speichern durch eine geringere Versorgungsspannung, kürzere Lese- und Schreibzeiten und eine sogar im Vergleich zu MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) niedrigere Verlustleistung aus. Um die Möglichkeiten, die ferroelektrische Dünnschichten bieten, optimal nutzen zu können, ist es unerlässlich, ein genaues dynamisches Modell ferroelektrischer Kondensatoren für den Schaltungssimulator zu besitzen. In dieser Arbeit wird das dynamische Verhalten ferroelektrischer Kondensatoren charakterisiert und modelliert, und seine mathematische Beschreibung im Schaltungssimulator umgesetzt.
Organization Units (connected with the publication): Elektronik 
DOI: https://doi.org/10.24405/554
URL: http://edoc.sub.uni-hamburg.de/hsu/volltexte/2005/465/
Advisor: Göbel, Holger  
Referee: Harde, Hermann
Grantor: HSU Hamburg
Type of thesis: Doctoral Thesis
Exam date: 2005-02-21
Appears in Collections:Publications of the HSU Researchers

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