Please use this persistent identifier to cite or link to this item: doi:10.24405/484
Title: Understanding and Modeling the Hysteresis in Current-Voltage (I–V ) and Capacitance-Voltage (C–V ) Characteristics of Organic Thin-Film Transistors
Authors: Ucurum, Cihan 
Language: eng
Subject (DDC): Ingenieurwissenschaften
Subject: Organischer Dünnschichttransistor
Modellierung
Hystereseverhalten
Organic Thin-Film Transistor
Modeling
Issue Date: 2013
Document Type: Thesis
Abstract: 
Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit den physikalischen Mechanismen, die zu einem Hystereseverhalten in den Strom-Spannungs- (I–V) und Kapazität-Spannungs- (C–V) Kennlinien bei organischen Dünnschichttransistoren führen. Zu diesem Zweck wurden die transienten und spannungsabha?ngigen Instabilitäten in den I–V und C–V Kennlinien der organischen Dünnschichttransistoren mit Pentacen als organischem Halbleiter untersucht. Anhand elektrischer Messungen und Bauelementsimulationen wurde gezeigt, dass Haftstellen im organischen Halbleiter, welche die Majoritätsladungsträger (Löcher) einfangen, zu der Hysterese in den gemessenen Kennlinien führen. Weiterhin wurden Behavioral-Modelle in PSpice entwickelt, welche das gemessene Strom-Spannungs- und Kapazität- Spannungsverhalten der organischen Dünnschichttransistoren reproduzieren.
Organization Units (connected with the publication): Elektronik 
DOI: https://doi.org/10.24405/484
Advisor: Göbel, Holger  
Exam date: 2013-07-08
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