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Understanding and Modeling the Hysteresis in Current-Voltage (I–V ) and Capacitance-Voltage (C–V ) Characteristics of Organic Thin-Film Transistors

dc.contributor.advisorGöbel, Holger
dc.contributor.authorUcurum, Cihan
dc.contributor.grantorHelmut-Schmidt-Universität / Universität der Bundeswehr Hamburg
dc.contributor.refereeKip, Detlef
dc.date.issued2013
dc.description.abstractThis thesis aims to shed light on physical mechanisms which lead to hysteresis in the current- voltage (I–V) and capacitance-voltage (C–V) characteristics of organic thin-film transistors. For this purpose, transient and bias dependent instabilities in the I–V and C–V characteristics of pentacene based organic thin-film transistors (OTFTs) are investigated. Through measurements and device simulations, it has been shown that trapping of majority charge carriers, i.e. holes, in the organic semiconductor pentacene leads to the hysteresis observed in these characteristics. Furthermore, behavioral PSpice models have been developed, which reproduce the measured device characteristics of OTFTs.
dc.description.abstractDie vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit den physikalischen Mechanismen, die zu einem Hystereseverhalten in den Strom-Spannungs- (I–V) und Kapazität-Spannungs- (C–V) Kennlinien bei organischen Dünnschichttransistoren führen. Zu diesem Zweck wurden die transienten und spannungsabha?ngigen Instabilitäten in den I–V und C–V Kennlinien der organischen Dünnschichttransistoren mit Pentacen als organischem Halbleiter untersucht. Anhand elektrischer Messungen und Bauelementsimulationen wurde gezeigt, dass Haftstellen im organischen Halbleiter, welche die Majoritätsladungsträger (Löcher) einfangen, zu der Hysterese in den gemessenen Kennlinien führen. Weiterhin wurden Behavioral-Modelle in PSpice entwickelt, welche das gemessene Strom-Spannungs- und Kapazität- Spannungsverhalten der organischen Dünnschichttransistoren reproduzieren.
dc.description.versionNA
dc.identifier.doi10.24405/484
dc.identifier.urihttps://openhsu.ub.hsu-hh.de/handle/10.24405/484
dc.identifier.urnurn:nbn:de:gbv:705-opus-30229
dc.language.isoen
dc.publisherUniversitätsbibliothek der HSU / UniBwH
dc.relation.orgunitElektronik
dc.rights.accessRightsopen access
dc.subjectOrganischer Dünnschichttransistor
dc.subjectModellierung
dc.subjectHystereseverhalten
dc.subjectOrganic Thin-Film Transistor
dc.subjectModeling
dc.subject.ddc620 Ingenieurwissenschaftende_DE
dc.titleUnderstanding and Modeling the Hysteresis in Current-Voltage (I–V ) and Capacitance-Voltage (C–V ) Characteristics of Organic Thin-Film Transistors
dc.typePhD thesis (dissertation)
dcterms.dateAccepted2013-07-08
dspace.entity.typePublication
hsu.thesis.grantorplaceHamburg
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